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參數(shù)資料
| 型號： | W942516CH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 4M X 4 BANKS X 16 BIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 4銀行× 16位DDR SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 19/47頁 |
| 文件大小： | 2809K |
| 代理商： | W942516CH |
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W942516CH
Publication Release Date: May 20, 2003
- 19 -
Revision A2
8.3 Function Truth Table for CKE
CKE
CURRENT
STATE
n-1
n
CS
ADDRESS
ACTION
NOTES
H
X
X
X
X
X
X
INVALID
L
H
H
X
X
X
X
Exit Self Refresh
->
Idle after t
XSNR
L
H
L
H
H
X
X
Exit Self Refresh
->
Idle after t
XSNR
L
H
L
H
L
X
X
ILLEGAL
L
H
L
L
X
X
X
ILLEGAL
Self Refresh
L
L
X
X
X
X
X
Maintain Self Refresh
H
X
X
X
X
X
X
INVALID
L
H
X
X
X
X
X
Exit Power down
->
Idle after t
IS
Power Down
L
L
X
X
X
X
X
Maintain power down mode
H
H
X
X
X
X
X
Refer to Function Truth Table
H
L
H
X
X
X
X
Enter Power down
2
H
L
L
H
H
X
X
Enter Power down
2
H
L
L
L
L
H
X
Self Refresh
1
H
L
L
H
L
X
X
ILLEGAL
H
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
All banks Idle
L
X
X
X
X
X
X
Power down
2
H
H
X
X
X
X
X
Refer to Function Truth Table
H
L
H
X
X
X
X
Enter Power down
2
H
L
L
H
H
X
X
Enter Power down
2
H
L
L
L
L
H
X
ILLEGAL
H
L
L
H
L
X
X
ILLEGAL
H
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
Row Active
L
X
X
X
X
X
X
Power down
Any State
Other Than
Listed Above
H
H
X
X
X
X
X
Refer to Function Truth Table
RAS
CAS
WE
Notes
:
1. Self refresh can enter only from the all banks idle state.
2. Power down can enter only from bank idle or row active state.
Remark: H = High level, L = Low level, X = High or Low level (Don’t care), V = Valid data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W946432AD | 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM |
| W963A6BBN | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70E | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70I | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9425G6DH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH_0812 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9425G6EH-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
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