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參數資料
| 型號： | W942516CH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 4M X 4 BANKS X 16 BIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 4銀行× 16位DDR SDRAM |
| 文件頁數： | 33/47頁 |
| 文件大小： | 2809K |
| 代理商： | W942516CH |
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W942516CH
Publication Release Date: May 20, 2003
- 33 -
Revision A2
Timing Waveforms, continued
10.7 Mode Register Set (MRS) Timing
MRS
Register Set data
NEXT CMD
t
MRD
CLK
CLK
CMD
ADD
A2
A1
A0
A3
A6
A5
A4
A8
BS1
BS0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
1
0
1
2
4
8
2
4
8
Burst Length
Sequential
Interleaved
Reserved
Reserved
Reserved
Reserved
Reserved
Reserved
Sequential
Interleaved
Addressing Mode
CAS Latency
2
DLL Reset
No
Yes
MRS or EMRS
Regular MRS cycle
Extended MRS cycle
2.5
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
BS0
BS1
"0"
"0"
"0"
"0"
"0"
"0"
"0"
DLL Reset
Reserved
Addressing Mode
* "Reserved" should stay "0" during
MRS cycle.
Reserved
Mode Register Set or
Extended Mode Register
Set
CAS Latency
Burst Length
Reserved
Reserved
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W946432AD | 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM |
| W963A6BBN | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70E | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70I | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W9425G6DH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH_0812 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
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| W9425G6EH-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
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