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參數(shù)資料
型號(hào): W942516CH
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
英文描述: 4M X 4 BANKS X 16 BIT DDR SDRAM
中文描述: 4米× 4銀行× 16位DDR SDRAM
文件頁(yè)數(shù): 31/47頁(yè)
文件大小: 2809K
代理商: W942516CH
W942516CH
Publication Release Date: May 20, 2003
- 31 -
Revision A2
Timing Waveforms, continued
10.4 Write Timing (Burst Length = 4)
t
IS
t
IH
tDSH
t
DSS
t
DSS
t
DSH
t
WPRES
t
DH
t
DH
t
DH
t
DS
t
DS
t
DS
t
DQSS
t
DSH
t
DSH
t
DSS
t
DSS
Postamble
t
WPRE
Preamble
tDQSH
tDQSH
tDQSL
tWPST
DA0
DA1
DA2
DA3
t
WPRES
t
DS
t
DS
t
DQSS
t
DSH
t
DSH
t
DSS
t
DSS
Postamble
t
WPRE
Preamble
t
DQSH
t
DQSH
t
DQSL
t
WPST
t
WPRES
t
DH
t
DS
t
DS
t
DQSS
t
DSH
Postamble
t
WPRE
Preamble
t
DQSH
t
DQSH
t
DQSL
t
WPST
DA0
DA1
DA2
DA3
t
DSSK
t
DSSK
t
DSSK
t
DSSK
t
DS
t
DH
t
DH
t
CH
t
CL
t
CK
DQS
Input
(Data)
LDQS
DQ0~7
UDQS
DQ8~15
x4, x8 device
x16 device
ADD
CMD
CLK
CLK
WRIT
Col
t
DH
t
DH
t
DH
t
DS
DA0
DA1
DA2
DA3
Note: x16 has 2DQS’s (UDQS for uper byte and LDQS for lower byte). Even if one of the 2 bytes is not used, both UDQS and
LDQS must be toggled.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W946432AD 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM
W963A6BBN 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
W963A6BBN70 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
W963A6BBN70E 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
W963A6BBN70I 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9425G6DH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BITS DDR SDRAM
W9425G6EH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM
W9425G6EH_0812 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM
W9425G6EH-5 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
W9425G6EH-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: