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參數資料
| 型號： | W942516CH |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 4M X 4 BANKS X 16 BIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 4銀行× 16位DDR SDRAM |
| 文件頁數： | 43/47頁 |
| 文件大小： | 2809K |
| 代理商： | W942516CH |
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W942516CH
Publication Release Date: May 20, 2003
- 43 -
Revision A2
Timing Waveforms, continued
10.21 4 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 2)
CMD
DQS
CLK
CLK
DQ
Q0a
Q1a
Q0b
Q1b
ACTa/b/c/d : Bank Act. CMD of bank a/b/c/d
READAa/b/c/d : Read with Auto Pre.CMD of bank a/b/c/d
APa/b/c/d : Auto Pre. of bank a/b/c/d
ACTa
ACTb
READAa
ACTc
READAb
ACTd
READAc
ACTa
APa
APb
t
RCD(a)
t
RAS(a)
t
RP
t
RAS(b)
t
RCD(b)
CL(a)
CL(b)
Preamble
Postamble Preamble
t
RRD
t
RC(a)
t
RRD
t
RAS(c)
t
RAS(d)
t
RCD(d)
t
RCD(c)
t
RRD
t
RRD
10.22 4 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 4)
CMD
DQS
CLK
CLK
DQ
ACTa/b/c/d : Bank Act. CMD of bank a/b/c/d
READAa/b/c/d : Read with Auto Pre.CMD of bank a/b/c/d
APa/b/c/d : Auto Pre. of bank a/b/c/d
ACTa
READAa
ACTb
READAb
ACTc
READAc
ACTd
READAd
ACTa
APa
APb
t
RCD(a)
t
RAS(a)
t
RP(a)
t
RAS(b)
t
RCD(b)
CL(a)
CL(b)
CL(c)
t
RRD
t
RC(a)
t
RRD
t
RAS(c)
t
RAS(d)
t
RCD(d)
t
RCD(c)
t
RRD
t
RRD
Q2a
Q3a
Q2b
Q3b
Preamble
Q0a
Q1a
Q0b
Q1b
Q0a
Q1a
CL(b)
APc
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W946432AD | 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM |
| W963A6BBN | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70E | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70I | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W9425G6DH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH_0812 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
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| W9425G6EH-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
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