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參數資料
| 型號： | W946432AD |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM |
| 中文描述： | 為512k × 4銀行× 32位DDR內存 |
| 文件頁數： | 21/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 462K |
| 代理商： | W946432AD |
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W946432AD
21
Figure8:RANDOM READ ACCESSES – REQUIRED CAS LATENCIES
READ
NOP
COMMAND
CK
CK
DQS
DQ
DON'T CARE
Bank,
Col n
RANDOM READ ACCESSES - REQUIRED CAS LATENCIES
ADDRESS
CL=3
NOP
n
DO
b
Bank,
Col b
READ
READ
READ
READ
Bank,
Col x
Bank,
Col g
DO
n'
x
DO
x'
g
DO
b'
DO n, etc. = Data Out from column n, etc.
n', etc. = the next Data Out following DO n, etc. according to the programmed burst order
Burst Length = 4
Reads are to active rows in any banks
Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ
Figure9:BURST READ STOP– REQUIRED CAS LATENCIES
NOP
BST
READ
NOP
NOP
NOP
COMMAND
CK
CK
DQS
DQ
DON'T CARE
Bank,
Col n
TERMINATING A READ BURST - REQUIRED CAS LATENCIES
ADDRESS
CL=3
DO
n
DO n = Data Out from column n
Cases shown are bursts of 8 terminated after 4 data elements
Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W963A6BBN | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70E | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70I | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN80 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W9464G6IB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ?? 4 BANKS ?? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH-4 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
| W9464G6JH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:64MBIT DDRI 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
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