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參數資料
| 型號： | W946432AD |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM |
| 中文描述： | 為512k × 4銀行× 32位DDR內存 |
| 文件頁數： | 22/40頁 |
| 文件大小： | 462K |
| 代理商： | W946432AD |
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W946432AD
22
Figure10:READ TO WRITE – REQUIRED CAS LATENCIES
BST
NOP
READ
NOP
NOP
COMMAND
CK
CK
DQS
DQ
Bank,
Col n
READ TO WRITE - REQUIRED CAS LATENCIES
ADDRESS
CL=3
n
WRITE
Bank,
Col b
NOP
t
DQSS
DON'T CARE
DM
DO n (or b) = Data Out from column n (or column b)
Burst Length = 4
Data In elements are applied following DI b in the programmed order
Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ
Figure11:READ TO PRECHARGE – REQUIRED CAS LATENCIES
NOP
READ
NOP
NOP
ACT
COMMAND
CK
CK
DQS
DQ
DON'T CARE
Bank,
Col n
READ TO PRECHARGE - REQUIRED CAS LATENCIES
ADDRESS
CL=3
DO
n
Bank
(a or all)
PRE
Bank,
Row
t
RP
DO n (or b) = Data Out from column n Cases shown are either uninterrupted bursts of 4, or interrupted bursts of 8
Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W963A6BBN | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70E | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70I | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN80 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W9464G6IB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ?? 4 BANKS ?? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH-4 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
| W9464G6JH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:64MBIT DDRI 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
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