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參數(shù)資料
| 型號： | W946432AD |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM |
| 中文描述： | 為512k × 4銀行× 32位DDR內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/40頁 |
| 文件大小： | 462K |
| 代理商： | W946432AD |
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W946432AD
35
Figure28:BANK READ ACCESS
BANK READ ACCESS
CK
CK
CKE
t
IS
t
IH
t
CK
t
CH
t
CL
NOP
ACT
READ
NOP
NOP
PRE
NOP
NOP
NOP
COMMAND
t
IS
t
IH
NOP
RA
Col n
RA
RA
RA
ALL BANKS
ONE BANK
Bank x
t
IS
t
IH
BA0,BA1
Bank x
*Bank x
DQS
DQ
t
RPST
t
DQmin
t
RPRE
t
LZ
min
t
LZ
min
t
AC
DO
n
HZ
DQS
DQ
DON'T CARE
max
t
RPRE
t
LZ
max
DO
n
t
DQSCK
max
t
AC
t
RPST
HZ
DIS AP
t
IS
t
IH
t
RC
CL=3
t
RAS
t
RCD
t
RP
DM
A8
A9,A10
A0-A7
ACT
RA
RA
Bank x
t
AC
/t
DQSCK=min
t
AC
/t
DQSCK=max
DO n = Data Out from column n
Burst Length = 4
DIS AP = Disable Autoprecharge
* = "Don't Care", if A8 is HIGH at this point
PRE = PRECHARGE, ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address
NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times
Note that tRCD MIN so that the same timing applies if Autoprecharge is enabled (in which case tRAS would be limiting)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W963A6BBN | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70E | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70I | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN80 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9464G6IB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ?? 4 BANKS ?? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH-4 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
| W9464G6JH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:64MBIT DDRI 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
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