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參數資料
| 型號： | W946432AD |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K X 4 BANKS X 32 BITS DDR SDRAM |
| 中文描述： | 為512k × 4銀行× 32位DDR內存 |
| 文件頁數： | 25/40頁 |
| 文件大小： | 462K |
| 代理商： | W946432AD |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
W946432AD
PRELIMINARY DATE: 9/8/00
25
.
Figure14:WRITE TO WRITE DQSS, NON – CONSECUTIVE
WRITE
NOP
WRITE
NOP
NOP
Bank,
Col b
Bank,
Col n
DI
b
DI
n
DQ
DM
DQS
ADDRESS
COMMAND
CK
CK
DON'T CARE
WRITE TO WRITE DQSS, NON - CONSECUTIVE
T1
T2
T3
T4
T0
T5
T6
T7
T8
T9
t
DQSS
DI b, etc. = Data In for column b, etc.
A non-interrupted burst of 4 is shown
Each Write command may be to any bank, and may be to the same or different devices
Depending on external components
Figure15:RANDOM WRITE CYCLES – DQSS
RANDOM WRITE CYCLES - DQSS
T2
T3
T4
T0
T1
T5
T6
T7
T8
T9
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
WRITE
Bank,
Col b
Bank,
Col x
Bank,
Col n
Bank,
Col a
Bank,
Col g
t
DQSS
DI
b
DI
a
DON'T CARE
DI
b'
DI
x
DI
x'
DI
n
DI
n'
DI
a'
DQ
DM
DQS
ADDRESS
COMMAND
CK
CK
DI b, etc. = Data In for column b, etc.
b', etc. = the next Data In following DI b, etc. according to the programmed burst order
Programmed Burst Length = 2, 4 or 8 in cases shown
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W963A6BBN | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70E | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN70I | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963A6BBN80 | 512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W9464G6IB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ?? 4 BANKS ?? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9464G6JH-4 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
| W9464G6JH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:64MBIT DDRI 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 64M 200MHZ 66TSOP |
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